| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FQD19N10TF |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | Fairchild Semiconductor | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
|
|
FQD19N10TF参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 包装数量：2000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：780pF @ 25V 功率 - 最大值：2.5W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： 跳线，预压接线H2AAT-10104-L4-ND FET - 单STD96N3LLH6 DC DC ConV24A5H300BG 跳线，预压接线H2BXG-10102-Y6-ND 功率，高于 2 安MJN3CF-AC240 铝电容器ECA-1HHG331 选择器A22W-2AY-12A-10 其它XW2Z-200A 矩形- 接头，插座150228-6002-RB 圆形KPT07A14-19SWEX |
|||||